华灿光电108亿投建先进半导体与器件项目

　　华灿光电2月22日早间公告，公司与义乌信息光电高新技术产业园区管理委员会(以下简称“园区管委会”)，就在义乌信息光电高新技术产业园区投资建设先进半导体与器件项目签署《华灿光电先进半导体与器件项目投资框架协议》。

　　项目内容包括：①LED 外延及芯片;②蓝宝石衬底;③紫外 LED;④红外LED;⑤microLED;⑥MEMS传感器;⑦垂直腔面发射激光器(VCSEL)⑧氮化镓(GaN)基激光器;⑨氮化镓(GaN)基电力电子器件等先进半导体与器件项目，项目计划总投资108亿元，项目总建设周期预计为7年。

　　华灿光电称，该协议的签署，符合公司的战略发展需要，有利于提升未来发展空间，为公司未来的发展注入动力。该项目如顺利实施将有助于公司的业务拓展，为公司持续发展提供支持和保障，通过积累项目的建设和运营经验，提升公司的核心竞争力和行业影响力。